Domande sull'intervista VLSI, VHDL, Verilog
1. Fornisci il termine completo di VHDL.
- Linguaggio ad altissima definizione
- Linguaggio di descrizione hardware di integrazione ad altissima velocità
- Linguaggio di descrizione molto elevato
- Linguaggio descrittivo dell'hardware con scalabilità ad altissima velocità
Ans: 2) Linguaggio di descrizione hardware di integrazione ad altissima velocità
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2. Qual è il numero di transistor a effetto di ossido di metallo necessari per costruire un gate NOR bi-complementare a semiconduttore a ossido di metallo che ha due ingressi?
- 5 MOSFET
- 6 MOSFET
- 7 MOSFET
- 8 MOSFET
Ans: 3) 7 MOSFET
"Come viene progettata una porta logica in VLSI?" Trova la risposta qui!
3. Qual è l'effetto del "Ritardo" se la tensione di alimentazione aumenta?
- Aumenta
- Diminuisce
- Rimane lo stesso
- Il ritardo non ha nulla a che fare con l'alimentazione.
Ans: 2) Diminuzioni
4. Cosa è vero riguardo alla progettazione VLSI?
- VLSI è un processo sequenziale che ha cicli di feedback.
- VLSI è un processo parallelo che non ha cicli di feedback.
- VLSI è un processo sia sequenziale che parallelo con cicli di feedback.
- VLSI è un processo sequenziale che non ha cicli di feedback.
Ans: 3) VLSI è un processo sia sequenziale che parallelo con cicli di feedback.
Per maggiori dettagli sulle domande dell'intervista a Verilog e su altri argomenti come la progettazione VLSI, Controllare questo!
5. Qual è l'uso degli strumenti CAD nella progettazione VLSI?
- Automatizza la progettazione VLSI.
- Riduce il tempo del ciclo di progettazione.
- Riduce la possibilità di errori.
- Tutti i precedenti.
Ans: 4) Tutto quanto sopra.
6. Quale tipo di prodotto è più adatto alla progettazione basata su FPGA?
- Sviluppo di prodotti su larga scala.
- Applicazioni ad alta velocità.
- Sviluppo prototipi.
- Applicazioni a basso consumo.
Ans: 3) Sviluppo del prototipo.
Cos'è Verilog? Cos'è il sistema Verilog? e altre domande e risposte all'intervista a Verilog lo sono qui!
7. Qual è la relazione tra ritardo di interconnessione e ritardo di gate?
- La relazione dipende dalla tecnologia.
- Il ritardo del gate è sempre maggiore del ritardo dell'interconnessione.
- Il ritardo di interconnessione è sempre superiore al ritardo del gate.
- Sono gli stessi.
Ans: 1) La relazione dipende dalla tecnologia.
8. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: Per un grafico a Y, i dettagli delle informazioni di progettazione aumentano quando vengono spostati dal centro alla periferia.
- I veri
- Falso
Ans: (2). Falso
9. Perché è preferibile un dispositivo a canale corto?
- È più facile per la fabbricazione.
- Ha un consumo energetico inferiore.
- Ha un'alta velocità.
- Ha caratteristiche di output migliori.
Ans: 3) Ha un'alta velocità.
10. Dove trova applicazione il funzionamento sottosoglia del MOSFET?
- Ricordi.
- Dispositivi ad accoppiamento di carica.
- Applicazioni biomediche.
- Nessuno dei precedenti.
Ans: 3) Applicazioni biomediche.
11. Qual è la relazione tra la resistenza ON del MOSFET e la tensione gate-source (Vgs)?
- La resistenza ON aumenta linearmente con Vgs.
- La resistenza ON diminuisce linearmente con Vgs.
- La resistenza ON aumenta esponenzialmente con Vgs.
- La resistenza ON diminuisce in modo non lineare con Vgs.
Ans: 4) La resistenza ON diminuisce in modo non lineare con Vgs.
12. Qual è la tensione di soglia di un EMOSFET?
- Pari a 0 V.
- Meno di 0 V.
- Maggiore di 0 V.
- Nessuno dei precedenti.
Ans: 3) Maggiore di 0 V.
13. Trova quello strano.
- Modulazione della lunghezza del canale
- Conduzione sottosoglia
- Effetto portante caldo.
- Effetto corpo
Ans: 4) Effetto corpo. (Tutte le altre opzioni sono 2nd effetto ordine).
14. Come cambia la densità del drogaggio per il ridimensionamento a tensione costante?
- Aumenta di un fattore s
- Aumenta di un fattore s2.
- Diminuisce di un fattore per s.
- Diminuisce di un fattore per s2.
Ans: 2) Aumenta di un fattore s2.
15. Come avviene la dissipazione di potenza per la scalabilità completa?
- Aumenta di un fattore s
- Aumenta di un fattore s2.
- Diminuisce di un fattore per s.
- Diminuisce di un fattore per s2.
Ans: 3) Diminuisce di un fattore s2.
16. Come avviene la dissipazione di potenza per il dimensionamento a tensione costante?
- Aumenta di un fattore s
- Aumenta di un fattore s2.
- Diminuisce di un fattore per s.
- Diminuisce di un fattore per s2.
Ans: 1) Aumenta di un fattore s.
17. Qual è il vantaggio principale dell'inverter NMOSFET con carico di esaurimento rispetto al carico EMOSFET?
- Meno dissipazione di potenza
- Processo di fabbricazione più semplice
- Transizioni Vtc più nitide e migliori margini di rumore.
- Nessuno dei precedenti.
Ans: 3) Transizioni Vtc più nitide e migliore margine di rumore.
18. Perché viene utilizzato il polisilicio per il gate nel MOSFET?
- Perché è un semimetallo.
- Perché ha un reticolo abbinato al silicone
- Perché è più facile da fabbricare.
- Nessuno dei precedenti.
Ans: 2) Perché ha un reticolo abbinato al silicone.
19. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: A scala intera, l’intensità del campo elettrico è costante.
- I veri
- Falso
Soluzione: (1). Vero
20. Quale delle affermazioni fornite è vera per quanto riguarda un inverter MOSFET?
- Per implementare un inverter MOSFET sono necessari un PMOSFET e un resistore.
- Per implementare un inverter MOSFET sono necessari un NMOSFET e un resistore.
- Due PMOSFET.
- Due NMOSFET.
Ans: 2) Per implementare un inverter MOSFET sono necessari un NMOSFET e un resistore.
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Domande di intervista VLSI, VHDL, Verilog, Immagine – 2
21. Da quali fattori dipende la potenza dissipata di un inverter CMOS?
- Tensione fornita.
- La larghezza del canale di NMOSFET.
- Larghezza del canale di PMOSFET.
- Tutti i precedenti.
Ans: 1) Tensione fornita
22. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: I transistor PMOS fungono da rete Pull-up in un inverter CMOS.
- I veri
- Falso
Soluzione: (1). Vero
23. Quale dei seguenti effetti non contribuisce a deviare la situazione ideale di un circuito a specchio di corrente?
- Effetti DIBL.
- Offset di soglia tra due transistor
- Modulazione della lunghezza del canale
- Accostamento geometrico imperfetto.
Ans: 1) Effetti DIBL.
24. Cosa contiene la libreria di celle ASIC?
- La disposizione fisica delle celle
- Modello di instradamento delle celle
- Modello temporale delle cellule
- Tutti i precedenti.
Ans: 1) Disposizione fisica delle celle.
25. Perché attraverso un gate si verifica il ritardo di propagazione più basso?
- A causa di: transistor potente, alta temperatura, alta tensione.
- A causa di – forte transistor, bassa temperatura, alta tensione.
- A causa di: transistor debole, alta temperatura, alta tensione.
- A causa di: transistor debole, bassa temperatura, bassa tensione.
Ans: 3) A causa di – Transistor debole, alta temperatura, alta tensione.
26. Quale delle seguenti affermazioni è vera riguardo alla progettazione logica VLSI?
- VLSI riduce al minimo l'area e il ritardo
- VLSI riduce al minimo l'area a scapito del ritardo
- VLSI massimizza la velocità diminuendo l'area
- VLSI riduce al minimo il ritardo riducendo l'area
Ans: 2) VLSI minimizza l'area a scapito del ritardo.
27. Cos'è una macro difficile?
- Blocco flessibile
- Blocco fisso
- Blocco flessibile con proporzioni fisse
- Blocco flessibile con proporzioni flessibili
Ans: 2) Blocco fisso
28. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: La forma completa di SPICE è: Programma di simulazione con enfasi sul circuito integrato.
- I veri
- Falso
Soluzione: (1). Vero
29. Qual è il circuito equivalente per il comparatore CMOS?
- CMOS OPAMP non compensato.
- OPAMP CMOS compensato.
- OPAMP CMOS parzialmente compensato.
- Nessuna delle precedenti è vera.
Ans: 1) CMOS OPAMP non compensato.
30. Qual è la relazione tra la resistenza equivalente di un condensatore commutato e la frequenza dell'orologio?
- La resistenza è proporzionale alla frequenza di clock.
- La resistenza è inversamente proporzionale alla frequenza del clock.
- La resistenza è proporzionale al quadrato della frequenza dell'orologio.
- La resistenza è inversamente proporzionale al quadrato della frequenza dell'orologio.
Ans: 2) La resistenza è inversamente proporzionale alla frequenza dell'orologio.
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Domande di intervista VLSI, VHDL, Verilog, Immagine – 3
31. Qual è la relazione tra la resistenza equivalente di un condensatore commutato e la capacità?
- La resistenza è proporzionale alla capacità.
- La resistenza è inversamente proporzionale alla capacità.
- La resistenza è proporzionale al quadrato della capacità.
- La resistenza è inversamente proporzionale al quadrato della capacità.
Ans: 2) La resistenza è inversamente proporzionale alla capacità.
32. Qual è la condizione per il dominio della Corrente di Diffusione?
- Forte inversione
- Debole inversione
- Inversione sia forte che debole.
- Non può essere determinato.
Ans: 2) Debole inversione.
33. Qual è la condizione per il dominio di Drift Current?
- Forte inversione
- Debole inversione
- Inversione sia forte che debole.
- Non può essere determinato.
Ans: 1) Forte inversione.
34. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: Nello specchio di corrente cascode la resistenza di uscita viene aumentata.
- I veri
- Falso
Soluzione: (1). Vero
35. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: Un circuito a specchio di corrente può essere utilizzato come amplificatore di corrente aumentando i rapporti (W/L) del MOSFET con mirroring e sorgente
- I veri
- Falso
Soluzione: (1). Vero
36. Quali connessioni di NMOS in PDN aiutano a realizzare i termini AND?
- Collegamento in cascata
- Connessioni anti - parallele
- Collegamenti in serie
- Connessioni parallele
Ans: 3) Collegamenti in serie
37. Quale tipo di transistor può trasmettere perfettamente il valore logico alto, ma non il valore logico basso?
- MOSFET
- PMOSFET
- CMOS
- Nessuno dei precedenti
Ans: 2) PMOSFET
38. Qual è il numero minimo di transistor necessari per progettare una porta XOR?
- Tre
- Quattro
- Cinque
- Sei
Ans: 4) Sei
39. Quale tipo di progetto logico fornisce il ritardo di propagazione minimo?
- Logica ad accoppiamento di emettitore
- Transistor Logica del transistor
- Registra la logica del transistor
- Logica del transistor a diodi
Ans: 1) Logica accoppiata all'emettitore
40. Dichiara Vero o Falso
dichiarazione: La logica CMOS dinamica funziona utilizzando due impulsi di clock non sovrapposti.
- I veri
- Falso
Soluzione: (2). Falso.
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Ciao, sono Sudipta Roy. Ho fatto B. Tech in Elettronica. Sono un appassionato di elettronica e attualmente mi dedico al campo dell'elettronica e delle comunicazioni. Nutro un vivo interesse nell'esplorazione delle tecnologie moderne come l'intelligenza artificiale e l'apprendimento automatico. I miei scritti sono dedicati a fornire dati accurati e aggiornati a tutti gli studenti. Aiutare qualcuno ad acquisire conoscenze mi dà un immenso piacere.
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